Глава за туширање силикон карбид

Полупроводничка Силиконска карбидна глава за туширање VeTek е главно направена од SiC. Во полупроводничката обработка, главната функција на тушот со силициум карбид е рамномерно да го распределува реакциониот гас за да обезбеди формирање на униформа фолија за време нахемиско таложење на пареа (CVD)илифизичко таложење на пареа (PVD)процеси. Поради одличните својства на SiC, како што се високата топлинска спроводливост и хемиската стабилност, SiC тушот може ефикасно да работи на високи температури, да ја намали нерамномерноста на протокот на гас за време напроцес на таложење, а со тоа и подобрување на квалитетот на филмскиот слој.

Главата за туширање со силикон карбид може рамномерно да го дистрибуира реакциониот гас низ повеќе млазници со иста бленда, да обезбеди рамномерен проток на гасот, да избегне локални концентрации кои се премногу високи или премногу ниски и на тој начин да го подобри квалитетот на филмот. Во комбинација со одличната отпорност на високи температури и хемиската стабилност наCVD SiC, не се ослободуваат честички или загадувачи за време напроцес на таложење на филмот, што е од клучно значење за одржување на чистотата на таложењето на филмот.

Дополнително, уште една голема предност на CVD SiC тушната глава е нејзината отпорност на топлинска деформација. Оваа карактеристика осигурува дека компонентата може да одржува физичка структурна стабилност дури и во средини со висока температура типични за процесите на хемиско таложење на пареа (CVD) или физичко таложење на пареа (PVD). Стабилноста го минимизира ризикот од неусогласеност или механички дефект, а со тоа ја подобрува доверливоста и работниот век на целокупниот уред.

Како водечки производител и добавувач на туш-глави со силикон карбид во Кина. Најголемата предност на VeTek Semiconductor CVD Silicon Carbide Head Head е способноста да обезбеди приспособени производи и технички услуги. Нашата приспособена услуга предност може да ги задоволи различните барања на различни клиенти за завршна обработка на површината. Особено, тој поддржува рафинирано прилагодување на зрели технологии за обработка и чистење во текот на производниот процес.

Дополнително, внатрешниот ѕид на порите на VeTek Semiconductor Silicon Carbide Shower Head е внимателно обработен за да се осигури дека нема остаток на оштетен слој, со што се подобруваат вкупните перформанси при екстремни услови. Дополнително, нашата CVD SiC тушна глава може да постигне минимална бленда од 0,2 mm, со што се постигнува одлична точност на испорака на гас и одржување на оптимален проток на гас и ефекти на таложење на тенок филм за време на производството на полупроводници.

SEM ПОДАТОЦИ НАCVD SIC ФИЛМ КРИСТАЛНА СТРУКТУРА：

Основни физички својства на CVD SiC облога：

Продавници за туширање со полупроводнички силикон карбид на VeTek: