Прстен од тантал карбид

Прстенот од тантал карбид (TaC) на VeTek Semiconductor користи висококвалитетен графит како јадро и, благодарение на својата единствена структура, е способен да ја задржи својата форма и механички својства под екстремни услови на печка за раст на кристали. Високата отпорност на топлина на графитот му дава одлична стабилност низ целиот просторпроцес на раст на кристали.

Надворешниот слој на TaC прстенот е покриен со aоблога од тантал карбид, материјал познат по својата исклучително висока цврстина, точка на топење од над 3880°C и одлична отпорност на хемиска корозија, што го прави особено погоден за работни средини со висока температура. Облогата со тантал карбид обезбедува силна бариера за ефикасно спречување на насилни хемиски реакции и гарантира дека јадрото на графит не е кородирано од високите температури на гасовите од печката.

За време нараст на кристалот на силициум карбид (SiC)., стабилните и униформни услови за раст се клучни за обезбедување на висококвалитетни кристали. Прстенот за обложување со тантал карбид игра витална улога во регулирањето на протокот на гас и оптимизирање на распределбата на температурата во печката. Како водич за гас, прстенот TaC обезбедува рамномерна дистрибуција на топлинската енергија и реакционите гасови, обезбедувајќи рамномерен раст и стабилност на SiC кристалите.

Покрај тоа, високата топлинска спроводливост на графитот во комбинација со заштитниот ефект на обложена со тантал карбид му овозможува на TaC-водичкиот прстен да работи стабилно во средина со висока температура потребна за раст на SiC кристалите. Неговата структурна цврстина и димензионална стабилност се клучни за одржување на условите во печката, што директно влијае на квалитетот на произведените кристали. Со намалување на топлинските флуктуации и хемиските реакции во печката, TaC Coating Ring помага да се генерираат кристали со одлични електронски својства за полупроводнички апликации со високи перформанси.

Тантал карбид прстен на VeTek Semiconductor е клучна компонента напечки за раст на силициум карбид кристалии се издвојува по одличната издржливост, термичка стабилност и хемиска отпорност. Неговата уникатна комбинација на јадро од графит и облога TaC му овозможува да одржува структурен интегритет и функционалност под тешки услови. Со прецизно контролирање на температурата и протокот на гас во печката, TaC обложувачкиот прстен ги обезбедува потребните услови за производство на висококвалитетни SiC кристали, кои се клучни за производство на врвни полупроводнички компоненти.

Тантал карбид (TaC) облога на микроскопски пресек：