- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Вести
Кинеските компании наводно развиваат 5nm чипови со Broadcom!
Според странските вести, два извори открија на 24 јуни дека ByteDance соработува со американската компанија за дизајн на чипови Broadcom на развој на напреден компјутерски процесор со вештачка интелигенција (AI), кој ќе му помогне на ByteDance да обезбеди соодветно снабдување со чипови од високата к......
Прочитај повеќе
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8-инчните SiC чипови се очекува да бидат пуштени во производство во декември!
Како водечки производител во индустријата SiC, динамиката поврзана со Sanan Optoelectronics доби широко внимание во индустријата. Неодамна, Sanan Optoelectronics откри серија најнови случувања, кои вклучуваат трансформација од 8 инчи, ново фабричко производство на подлоги, основање нови компании, вл......
Прочитај повеќе
Примена на графитни делови обложени со TaC во еднокристални печки
Во растот на единечните кристали SiC и AlN со користење на методот на транспорт на физичка пареа (PVT), клучните компоненти како што се садот, држачот за семе и прстенот за води играат витална улога. Како што е прикажано на Слика 2 [1], за време на PVT процесот, семениот кристал се позиционира во ре......
Прочитај повеќе
Различни технички правци на SiC епитаксијална печка за раст
Подлогите од силициум карбид имаат многу дефекти и не можат директно да се обработат. На нив треба да се одгледува специфичен еднокристален тенок филм преку епитаксијален процес за да се направат чипс наполитанки. Овој тенок филм е епитаксијален слој. Речиси сите уреди со силициум карбид се реализир......
Прочитај повеќе
Материјал од епитаксија на силициум карбид
Материјалот на епитаксијалниот слој на силициум карбид е силициум карбид, кој обично се користи за производство на електронски уреди со висока моќност и LED диоди. Широко се користи во индустријата за полупроводници поради одличната топлинска стабилност, механичката сила и високата електрична спрово......
Прочитај повеќе
