MOCVD Susceptor со TaC облога

VeTek Semiconductor е сеопфатен снабдувач вклучен во истражување, развој, производство, дизајн и продажба на TaC премази и делови за обложување SiC. Нашата експертиза лежи во производството на најсовремениот MOCVD Susceptor со TaC облога, кој игра витална улога во процесот на ЛЕД епитаксија. Ве поздравуваме да разговарате со нас за прашања и дополнителни информации.

Испрати барање

Опис на производот

VeTek Semiconductor е водечки кинески производител, снабдувач и извозник специјализиран за MOCVD Susceptor со TaC облога. Добредојдени сте да дојдете во нашата фабрика за да ги купите најновите продажни, ниски цени и висококвалитетни MOCVD сусцептори со TaC слој. Со нетрпение очекуваме да соработуваме со вас.

Епитаксијата на LED диоди се соочува со предизвици како што се контрола на квалитетот на кристалите, избор и усогласување на материјалот, структурен дизајн и оптимизација, контрола на процесот и конзистентност и ефикасност на екстракција на светлина. Изборот на вистинскиот материјал за носење нафора за епитаксии е од клучно значење, а неговото премачкување со тенок филм од тантал карбид (TaC) (облога TaC) обезбедува дополнителни предности.

При изборот на материјал за носач на нафора за епитаксии, треба да се земат предвид неколку клучни фактори:

Температурна толеранција и хемиска стабилност: ЛЕД процесите на епитаксијата вклучуваат високи температури и може да вклучуваат употреба на хемикалии. Затоа, неопходно е да се изберат материјали со добра температурна толеранција и хемиска стабилност за да се обезбеди стабилност на носачот во високи температури и хемиски средини.

Површинска плошност и отпорност на абење: Површината на носачот на епитаксичната обланда треба да има добра плошност за да се обезбеди рамномерен контакт и стабилен раст на епитаксичната обланда. Дополнително, отпорноста на абење е важна за да се спречи оштетување на површината и абразија.

Топлинска спроводливост: Изборот на материјал со добра топлинска спроводливост помага ефикасно да се троши топлината, одржувајќи стабилна температура на раст на епитаксичниот слој и подобрување на стабилноста и конзистентноста на процесот.

Во овој поглед, обложувањето на епитаксичниот носач на нафора со TaC ги нуди следните предности:

Стабилност на висока температура: TaC облогата покажува одлична стабилност на висока температура, овозможувајќи му да ја задржи својата структура и перформанси за време на процесите на епитаксија на висока температура и обезбедува супериорна температурна толеранција.

Хемиска стабилност: TaC облогата е отпорна на корозија од вообичаени хемикалии и атмосфери, заштитувајќи го носачот од хемиска деградација и ја зголемува неговата издржливост.

Цврстина и отпорност на абење: TaC облогата поседува висока цврстина и отпорност на абење, ја зајакнува површината на носачот на обланда со епитаксија, намалувајќи ги оштетувањата и абењето и го продолжува неговиот животен век.

Топлинска спроводливост: TaC облогата демонстрира добра топлинска спроводливост, помага во дисипација на топлина, одржување на стабилна температура на раст за слојот на епитаксијата и подобрување на стабилноста и конзистентноста на процесот.

Затоа, изборот на носач за обланда со епитаксија со облога TaC помага да се одговори на предизвиците на LED епитаксиите, исполнувајќи ги барањата на високи температури и хемиски средини. Овој слој нуди предности како што се стабилност на висока температура, хемиска стабилност, цврстина и отпорност на абење и топлинска спроводливост, што придонесува за подобрени перформанси, животен век и ефикасност на производството на носачот на обланда со епитаксии.

Основни физички својства на TaC облогата:

Физички својства на TaC облогата
Густина	14,3 (g/cm³)
Специфична емисивност	0.3
Коефициент на термичка експанзија	6,3 10-6/К
Цврстина (HK)	2000 HK
Отпор	1×10-5 Ом*см
Термичка стабилност	<2500℃
Големината на графитот се менува	-10-20 мм
Дебелина на облогата	Типична вредност ≥20um (35um±10um)