Водечки прстен со три ливчиња обложен со CVD TaC

VeTek Semiconductor доживеа долгогодишен технолошки развој и ја совлада водечката процесна технологија на CVD TaC облогата. Водечкиот прстен со три ливчиња обложен со CVD TaC е еден од најзрелите производи за CVD TaC обложување на VeTek Semiconductor и е важна компонента за подготовка на SiC кристали со PVT метода. Со помош на VeTek Semiconductor, верувам дека вашето производство на SiC кристали ќе биде помазно и поефикасно.

Испрати барање

Опис на производот

Силикон карбид еден кристален материјал за подлога е еден вид кристален материјал, кој припаѓа на полупроводнички материјал со широка фреквенција. Има предности на отпорност на висок напон, отпорност на висока температура, висока фреквенција, ниска загуба итн. Тоа е основен материјал за подготовка на електронски уреди со висока моќност и уреди за микробранова радиофреквенција. Во моментов, главните методи за одгледување на SiC кристали се физички транспорт на пареа (метод PVT), хемиско таложење на пареа на висока температура (метод HTCVD), метод на течна фаза итн.

Working diagram of CVD TaC coated three-petal guide ring

PVT методот е релативно зрел метод кој е посоодветен за индустриско масовно производство. Со поставување на семенскиот кристал на SiC на врвот на садот и ставајќи го прашокот SiC како суровина на дното на садот, во затворена средина со висока температура и низок притисок, прашокот SiC се сублимира и се пренесува нагоре во близина. на семенскиот кристал под дејство на температурен градиент и концентрациска разлика, и се рекристализира по достигнувањето на презаситената состојба, контролираниот раст на SiC може да се постигне големина на кристал и специфичен тип на кристал.

Главната функција на водечкиот прстен со три ливчиња обложен со CVD TaC е да ја подобри механиката на течности, да го води протокот на гас и да му помогне на областа за раст на кристалите да добие униформа атмосфера. Исто така, ефикасно ја расфрла топлината и го одржува температурниот градиент за време на растот на кристалите на SiC, а со тоа ги оптимизира условите за раст на кристалите на SiC и избегнувајќи ги кристалните дефекти предизвикани од нерамномерна распределба на температурата.

Одлични перформанси на CVD TaC облогата

● Ултра висока чистота: Избегнува создавање на нечистотии и контаминација.

● Стабилност на висока температура: Стабилноста на висока температура над 2500°C овозможува работа со ултра високи температури.

● Толеранција на хемиска средина: Толеранција на H(2), NH(3), SiH(4) и Si, обезбедувајќи заштита во тешки хемиски средини.

● Долг живот без пролевање: Силното поврзување со графитното тело може да обезбеди долг животен циклус без опаѓање на внатрешната обвивка.

● Отпорност на термички шок: Отпорноста на термички удар го забрзува работниот циклус.

●Строга димензионална толеранција: Обезбедува покривање на облогата ги исполнува строгите димензионални толеранции.

VeTek Semiconductor има професионален и зрел тим за техничка поддршка и тим за продажба кој може да ги прилагоди најсоодветните производи и решенија за вас. Од претпродажба до пост-продажба, VeTek Semiconductor секогаш е посветен да ви обезбеди најкомплетни и најсеопфатни услуги.

Физички својства на TaC облогата

Физички својства на TaC облогата
TaC густина на облогата	14,3 (g/cm³)
Специфична емисионост	0.3
Коефициент на термичка експанзија	6.3 10^-6/К
Тврдост на облогата TaC (HK)	2000 HK
Отпор	1×10^-5Ом * см
Термичка стабилност	<2500℃
Големината на графитот се менува	-10-20 мм
Дебелина на облогата	≥20um типична вредност (35um±10um)
Топлинска спроводливост	9-22 (W/m·K)

Продавници за производи за водечки прстени со три ливчиња на VeTek Semiconductor CVD TaC

SiC Graphite substrate CVD TaC coated three-petal guide ring test Silicon carbide ceramic processing Semiconductor process equipment

Жешки тагови: Водечки прстен со три ливчиња обложен CVD TaC, Кина, производител, добавувач, фабрика, приспособено, купете, напредно, издржливо, произведено во Кина

Ознака на производот

Поврзана категорија