Садник за монокристален силикон

Во методот CZ (Czochralski), еден кристал се одгледува со доведување на монокристално семе во контакт со стопениот поликристален силициум. Семето постепено се влече нагоре додека полека се ротира. Во овој процес, се користат значителен број графитни делови, што го прави метод кој користи најголемо количество графитни компоненти во производството на силиконски полупроводници.

Сликата подолу дава шематски приказ на силиконска печка за производство со еден кристал врз основа на методот CZ.

Vetek Semiconductor's Crucible за монокристален силикон обезбедува стабилна и контролирана средина од клучно значење за прецизно формирање на полупроводнички кристали. Тие се инструментални за одгледување на монокристални силициумски инготи со користење на напредни техники како што се процесот Чохралски и методите на пловечка зона, кои се од витално значење за производство на висококвалитетни материјали за електронски уреди.

Конструирани за извонредна термичка стабилност, хемиска отпорност на корозија и минимално термичко проширување, овие садници обезбедуваат издржливост и робусност. Тие се дизајнирани да издржат сурови хемиски средини без да се загрозат структурниот интегритет или перформансите, а со тоа да се продолжи животниот век на садот и да се одржуваат постојани перформанси при продолжена употреба.

Уникатниот состав на Vetek Semiconductor Crucibles за монокристален силикон им овозможува да ги издржат екстремните услови на обработка на висока температура. Ова гарантира исклучителна термичка стабилност и чистота, кои се клучни за полупроводничка обработка. Составот, исто така, го олеснува ефикасниот пренос на топлина, промовирајќи униформа кристализација и минимизирање на топлинските градиенти во топењето на силициумот.

Предности на нашиот суцептор за обложување SiC:

Заштита на основниот материјал: CVD SiC облогата делува како заштитен слој за време на епитаксијалниот процес, ефикасно заштитувајќи го основниот материјал од ерозија и оштетување предизвикано од надворешната средина. Оваа заштитна мерка во голема мера го продолжува работниот век на опремата.

Одлична топлинска спроводливост: Нашиот CVD SiC слој поседува извонредна топлинска спроводливост, ефикасно пренесувајќи ја топлината од основниот материјал до површината на облогата. Ова ја подобрува ефикасноста на термичкото управување за време на епитаксијата, обезбедувајќи оптимални работни температури за опремата.

Подобрен квалитет на филмот: CVD SiC облогата обезбедува рамна и униформа површина, создавајќи идеална основа за раст на филмот. Ги намалува дефектите кои произлегуваат од неусогласеноста на решетките, ја подобрува кристалноста и квалитетот на епитаксијалниот филм и на крајот ги подобрува неговите перформанси и доверливост.

Изберете го нашиот SiC облога за премачкување за вашите потреби за производство на епитаксијална обланда и извлечете корист од подобрената заштита, супериорната топлинска спроводливост и подобрен квалитет на филмот. Верувајте во иновативните решенија на VeTek Semiconductor за вашиот успех во индустријата за полупроводници.

Продавници за производство:

Преглед на синџирот на индустријата за епитаксии со полупроводнички чипови: