Aixtron MOCVD рецептор

Како професионален производител и добавувач на Aixtron MOCVD Susceptor во Кина, Aixtron MOCVD Susceptor на Vetek Semiconductor е широко користен во процесот на таложење на тенок филм за производство на полупроводници, особено што го вклучува процесот MOCVD. Vetek Semiconductor се фокусира на производство и снабдување со производи со високи перформанси Aixtron MOCVD Susceptor. Добредојдовте на вашето барање.

Испрати барање

Опис на производот

Суцепторите произведени одПолупроводник Ветексе направени од графитна подлога и материјал за обложување силициум карбид (SiC). Со оглед на поголемата отпорност на абење, отпорност на корозија и екстремно високата цврстина на материјалот SiC, тој е особено погоден за употреба во тешки средини со процеси. Затоа, Susceptors произведени од Vetek Semiconductor може директно да се користат во MOCVD процеси на висока температура без дополнителна површинска обработка.

Сензипторите се клучни компоненти во производството на полупроводници, особено во опремата MOCVD за процеси на таложење на тенок филм. Главната улога наAixtron SiC ресиверво процесот MOCVD е да се носат полупроводнички наполитанки, да се обезбеди униформа и висококвалитетно таложење на тенки филмови преку обезбедување на униформа дистрибуција на топлина и средина за реакција, а со тоа да се постигне висококвалитетно производство на тенок филм.

Aixtron MOCVD рецепторобично се користи за поддршка и фиксирање на основата на полупроводничките наполитанки за да се обезбеди стабилност на нафората за време на процесот на таложење. Во исто време, површинската обвивка на Aixtron MOCVD Susceptor е направена од силициум карбид (SiC), високо термички спроводлив материјал. Облогата SiC обезбедува рамномерна температура на површината на обландата, а едноличното загревање е од суштинско значење за добивање на висококвалитетни филмови.

Покрај тоа, наAixtron MOCVD рецепторние произведуваме игра поголема улога во контролирањето на протокот и дистрибуцијата на реактивни гасови преку оптимизираниот дизајн на материјалите. Избегнувајте вртложни струи и температурни градиенти за да постигнете рамномерно таложење на филмот.

Уште поважно, во процесот MOCVD, материјалот за обложување силициум карбид (SiC) има отпорност на корозија, така штоПолупроводник ВетекеAixtron MOCVD рецепторможе да издржи и високи температури и корозивни гасови.

Основни физички својства наSIC СЛОГ: